薄膜晶體管（TFT）是平板顯示器制造行業(yè)的核心技術(shù)，其價(jià)值相當(dāng)于硅芯片對(duì)計(jì)算機(jī)行業(yè)的影響。在20世紀(jì)60年代發(fā)明液晶顯示技術(shù)的初期，使用簡(jiǎn)單的X-Y電極尋址方式對(duì)液晶顯示器像素進(jìn)行尋址，顯示圖像存在大量的串?dāng)_，即一個(gè)像素會(huì)被鄰近像素的變化所干擾；后來(lái)提出了在每一個(gè)X-Y電極的交叉點(diǎn)設(shè)計(jì)一個(gè)具有開(kāi)關(guān)作用的TFT薄膜晶體管和一個(gè)電容，用電容來(lái)存儲(chǔ)和保持施加在該像素液晶上的電壓。最早都是使用CdSe作為 TFT的有源層，1980年前后開(kāi)始研究使用非晶硅材料做有源層的TFT特性。相比純非晶硅，氫化非晶硅（a-Si：H）能通過(guò)施主和受主摻雜來(lái)分別形成N型和P型半導(dǎo)體材料，氫能鈍化在非晶硅散亂網(wǎng)格中的由位于禁帶中的大量懸掛鍵引起的缺陷態(tài)，鈍化過(guò)程使得非晶硅具有類似晶體硅的特性。

盡管CdSe比a-Si：H的遷移率更高，但它是一種多晶態(tài)化合物半導(dǎo)體，它的特性受晶粒尺寸、晶界界面態(tài)和化學(xué)計(jì)量比等因素影響，且對(duì)周圍的水汽和氧氣敏感。a-Si：H無(wú)晶界、通過(guò)氫的鈍化作用既不改變本體特性，又提高了其電學(xué)特性。a-Si：H TFT由于具有優(yōu)良的電學(xué)特性、可在玻璃基板上制作，能部分集成周邊驅(qū)動(dòng)電路等特點(diǎn)，目前已經(jīng)是應(yīng)用最廣、工藝最穩(wěn)定、適合于批量生產(chǎn)的TFT技術(shù)。